G-CV0ZL47F6D
USD32,22
EURO34,94
GBP41,09
BIST10.676,65
GR. ALTIN2.418,50
İstanbul
Ankara
İzmir
Adana
Adıyaman
Afyonkarahisar
Ağrı
Aksaray
Amasya
Antalya
Ardahan
Artvin
Aydın
Balıkesir
Bartın
Batman
Bayburt
Bilecik
Bingöl
Bitlis
Bolu
Burdur
Bursa
Çanakkale
Çankırı
Çorum
Denizli
Diyarbakır
Düzce
Edirne
Elazığ
Erzincan
Erzurum
Eskişehir
Gaziantep
Giresun
Gümüşhane
Hakkâri
Hatay
Iğdır
Isparta
Kahramanmaraş
Karabük
Karaman
Kars
Kastamonu
Kayseri
Kırıkkale
Kırklareli
Kırşehir
Kilis
Kocaeli
Konya
Kütahya
Malatya
Manisa
Mardin
Mersin
Muğla
Muş
Nevşehir
Niğde
Ordu
Osmaniye
Rize
Sakarya
Samsun
Siirt
Sinop
Sivas
Şırnak
Tekirdağ
Tokat
Trabzon
Tunceli
Şanlıurfa
Uşak
Van
Yalova
Yozgat
Zonguldak

Samsung ve IBM akıllı telefonların en büyük sorununu çözecek

featured
Paylaş

Bu Yazıyı Paylaş

veya linki kopyala

Samsung ve IBM akıllı telefonların en büyük sorununu çözecek / Haberin Peşinde Urfa

Teknoloji devleri Samsung ve IBM, yeni bir işlemci tasarımıyla akıllı telefonlardaki batarya sorununu çözmek için kolları sıvadı.

Samsung ve IBM işbirliği geçtiğimiz günlerde teknoloji dünyasının gündemine düşmüştü. Teknoloji devleri ilk ürünlerini piyasaya sunmaya hazırlanıyor. Yeni geliştirdikleri işlemci ile akıllı telefon dünyasının kritik sorunu çözülebilir.

İlk gelen bilgilere göre geliştirmeler bu şekilde devam ederse, kullanıcılar akıllı telefonlarını şarj etme konusunda dertlenmeyecek. İki firmanın da oldukça iddialı olduğu gözlemlendi.

Geliştirme sürecinin devam ettiği öğrenilirken, firmaların teknoloji dünyasındaki önemli problemlerden birini giderebileceği aktarıldı. Özellikle akıllı telefon kullanıcılarının yaşadıkları şarj sorunları, yeni yarı iletkenler yardımıyla tamamen giderilebilir. Transistör dizilimini değiştirmeyi deneyen Samsung ve IBM, konuyla alakalı bir de YouTube üzerinden video paylaştı.

TASARIMDA CESUR DEĞİŞİKLİKLER

Yeni Dikey Aktarım Alan Etkili Transistör (VTFET) tasarımı, günümüzün en gelişmiş yongalarından bazıları için kullanılan mevcut FinFET teknolojisine ulaşmayı amaçlıyor. Yepyeni bir tasarım olan bu teknoloji ile transistörler, dikey bir şekilde istiflenecek. Çoğu işlemci tasarımında yer alan yan yana dizilim yerine, dikey kullanım, akımın da aynı şekilde ilerlemesini sağlayacak.

AKILLI TELEFON BATARYA ÖMRÜ HAFTALARA ÇIKABİLİR

Enerji kullanımını minimuma indirmesi planlanan yeni tasarımın, etkileri de oldukça geniş. Zira Samsung ve IBM, haftalarca dayanan akıllı telefon bataryalarının, daha az enerji tüketen kripto para madenciliğinin veya güvenli veri şifrelenmesinin ancak bu teknolojiyle mümkün olacağını belirtiyor. Geçtiğimiz dönemlerde 2 nm‘lik işlemci tanıtan IBM, FinFET tasarımını kullanıyordu. Ancak gelinen noktada işler VTFET teknolojisine de dönebilir.

Henüz son kullanıcıya ulaşmasına uzun süre olan yeni işlemci tasarımı, teknoloji dünyasında çok fazla şeyi değiştireceğe benziyor. Ayrıca Intel cephesinin de benzer bir atılım ile rekabeti kızıştırma ihtimali söz konusu. Bakalım yarı iletken piyasası, ne tür yeniliklerle kullanıcıları karşılayacak, bekleyip göreceğiz.

KAYNAK: SHİFTDELETE, HABER7

işlemci, samsung, TEKNOLOJİ, batarya, ıbm, yonga, TEKNOLOJİ Haberleri

Samsung ve IBM akıllı telefonların en büyük sorununu çözecek

Tamamen Ücretsiz Olarak Bültenimize Abone Olabilirsin

Yeni haberlerden haberdar olmak için fırsatı kaçırma ve ücretsiz e-posta aboneliğini hemen başlat.
Giriş Yap

haberinpesinde.com - Şanlıurfa Haber - Urfa Haber - Urfa Haber Sitesi - Şanlıurfa Haber Sitesi - Şanlıurfa Haber - En Yeni ve En Doğru Haberler ayrıcalıklarından yararlanmak için hemen giriş yapın veya hesap oluşturun, üstelik tamamen ücretsiz!